GE IC660BBS103 GENERAL ELECTRIC GENIUS BLOCK ASSEMBLY Low leakage Isolated I/O

• IC660BBS103
• Ngừng sản xuất bởi nhà sản xuất
• Mô -đun I/O.
• Khối thiên tài
• 8 mạch
• 115 VAC / 125 VDC năng lượng
• Cho 2 hoặc 3 đầu vào công tắc dây
• Không có chẩn đoán chuyển đổi thất bại

GE Fanuc IC660BBS103 là một khối I/O riêng biệt 8 điểm được thiết kế cho các hệ thống kiểm soát công nghiệp. Nó hỗ trợ cả điện áp AC và DC (115VAC và 125VDC), mang lại hiệu suất I/O đa năng và đáng tin cậy. Hoạt động trên giao thức Bus Genius, mô-đun này cho phép nhiều khối được kết nối trong thiết lập chuỗi Daisy. 8 mạch I/O của nó được chia thành 4 nhóm bị cô lập, cung cấp tính linh hoạt cho các ứng dụng tự động hóa công nghiệp khác nhau. Được trang bị các tính năng chẩn đoán cho cả đầu vào và đầu ra, khối I/O thông minh này đảm bảo độ tin cậy cao và an toàn hoạt động.

• Loại mô -đun:Khối I/O rời rạc
• Thương hiệu:GE Fanuc
• Loạt:Khối thiên tài I/O.
• Số phần:IC660BBS103

• Phạm vi điện áp đầu vào:
  AC: 93-132vac
  DC: 105-132VDC
• Điện áp đầu vào danh nghĩa:
  AC: 115VAC
  DC: 125VDC
• Thời gian lọc đầu vào:10 đến 100ms (có thể điều chỉnh theo gia số 10ms)
• Thời gian xử lý đầu vào:
  AC: 2ms
  DC: 0,8ms
• Độ trễ bật bật:
  AC: 0,5Hz + 1ms
  DC: 1ms

• Mạch đầu ra:8 (chia thành 4 nhóm bị cô lập)
• Dòng điện đầu ra:
  AC: 2A rms trên mỗi mạch
  DC: 2a (điện trở), 1a (quy nạp) trên mỗi mạch
• Dòng điện đầu ra khối tối đa:
  Đỉnh 15A
  7,5a ở 35 ° C và 60 ° C
• Hợp nhất:Chuyến đi ngắn mạch điện tử nội bộ (100ms cho AC; 10ms cho DC)
• Chẩn đoán đầu ra:Ngắn mạch, quá tải, không tải, quá nhiệt, mất nguồn I/O

• Nhiệt độ hoạt động:0 đến 60 ° C.
• Độ ẩm tương đối:5% đến 95% (không phụ)
• Xếp hạng rung:5 đến 10Hz với 0,2 inch dịch chuyển
• Kích thước:8,83 "x 3,34" x 3,91 "(HXWXD)
• Cân nặng:4 lbs (1,8 kg)

• Tối đa: 16.8W (với tất cả các đầu vào hoạt động)
• Tối đa: 45,6W (với tất cả các đầu ra được cung cấp năng lượng tại 2A)

• AC: 1 chu kỳ
• DC: 10ms